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微區掃描電化學(xué)需不斷提高科技含量

更新時(shí)間:2024-05-16瀏覽:1706次
  微區掃描電化學(xué)工作站是一個(gè)建立在電化學(xué)掃描探針的設計基礎上的,進(jìn)行高測量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區形貌及電化學(xué)微區測試系統。 它是提供給電化學(xué)及材料測試以*空間分辨率的一個(gè)測試平臺。每個(gè)VersaSCAN都具有高分辨率,長(cháng)工作距離的閉環(huán)定位系統并安裝于抗震光學(xué)平臺上。不同的輔助選件都安裝于定位系統上,輔助選件包括,如電位計,壓電振動(dòng)單元,或者激光傳感器,為不同掃描探針試驗,定位系統提供不同的功能。VersaSTAT恒電位儀和Signal Recovery 7230鎖相放大器和定位系統整合在一起,由以太網(wǎng)來(lái)控制,保證小信號的測量。
 
  微區掃描電化學(xué)是一個(gè)模塊化配置的系統,可以實(shí)現如下現今所有微區掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區形貌測試: Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡 Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動(dòng)電極測試 Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開(kāi)爾文探針測試 Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區掃描電化學(xué)阻抗測試 Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測試 Non-Contact Surface Profiling (OSP) 非觸式光學(xué)微區形貌測試
 
  以上每項技術(shù)使用不同的測量探針,且安裝位置與樣品非常接近,但是不接觸到樣品。隨著(zhù)探針測試的進(jìn)行,改變探針的空間位置。然后將所記錄的數據對探針位置作圖,針對不同技術(shù),該圖可以呈現微區電化學(xué)電流,阻抗,相對功函或者是表面形貌圖。
 
  微區掃描電化學(xué)阻抗技術(shù)(LEIS)能確定局部區域固/液界面的阻抗行為及相應參數,如局部腐蝕速率、涂層(有機、無(wú)機)完整性和均勻性、涂層下或與金屬界面間的局部腐蝕、緩蝕劑性能及不銹鋼鈍化/再鈍化等多種電化學(xué)界面特性。阻抗技術(shù)是向被測電極施加一微擾電壓,從而感生出交變電流,通過(guò)使用兩個(gè)鉑微電極確定金屬表面上局部溶液交流電流密度來(lái)測量局部阻抗的技術(shù)。
微區掃描電化學(xué)
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