VersaSCAN SKP

Scanning Kelvin Probe 掃描開(kāi)爾文探針系統

VersaSCAN SKP整合定位系統及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動(dòng)模塊, 電位計和鎢絲探針。SKP 技術(shù)測量探針和樣品表面位置的相對功函差。這是一個(gè)非破壞的技術(shù)，可運行于環(huán)境氣氛，潮濕氣氛和無(wú)電解液情況下。相對功函已經(jīng)被證實(shí)與腐蝕電位 (Ecorr)相關(guān)。SKP 提供的高空間分辨率可應用于材料，半導體，金屬腐蝕，甚至這些材料上的涂層。

• 鎖相放大器:  Signal Recovery 7230

• 可進(jìn)行表面形貌測量，測量和設置探針和樣品間的距離。

• 使用同一探針，結合所進(jìn)行的表面形貌測量，進(jìn)行樣品表面定距離掃描。

工作原理
VersaSCAN SKP掃描開(kāi)爾文探針系統為表面科學(xué)測量提供了一個(gè)新的途徑，開(kāi)爾文探針是一種無(wú)接觸，無(wú)破壞性的儀器，可以用于測量導電的、半導電的，或涂覆的材料與試樣探針之間的功函差。 這種技術(shù)是用一個(gè)振動(dòng)電容探針來(lái)工作的，通過(guò)調節一個(gè)外加的前級電壓可以測量出樣品表面和掃描探針的參比針尖之間的功函差。 功函和表面狀況有直接關(guān)系的理論的完善使SKP成為一種很有價(jià)值的儀器，它能在潮濕甚至氣態(tài)環(huán)境中進(jìn)行測量的能力使原先不可能的研究變?yōu)楝F實(shí)。

應用：

• 不銹鋼和鋁等材料的點(diǎn)蝕檢測、成長(cháng)過(guò)程在線(xiàn)監測等；

• 有機和金屬涂層缺陷和完整性研究；

• 金屬/有機涂層界面的腐蝕的機制與檢測；

• 有機涂層的剝離和脫落機制；

• 鈍化處理的不銹鋼焊接熱影響區的電位分布；

• 干濕循環(huán)的碳鋼和不銹鋼的陰極區和陽(yáng)極區的分布行為；

• 薄液層下氧還原反應和金屬的腐蝕過(guò)程的特征；

• 模擬不同大氣環(huán)境的腐蝕電位在線(xiàn)監測；

• 鋁合金等材料在大氣環(huán)境中局部腐蝕敏感性；

• 鋁合金的絲狀腐蝕（filiform corrosion）；

• 硅烷L(cháng)-B膜修飾金屬表面的結構和穩定性；

• 鋅-鐵偶合金屬界面區的電位分布特征；

• 磷化處理鋅表面的碳微粒污染檢測；

• 檢測微小金屬表面的應力分布和應力腐蝕開(kāi)裂；

• 檢測金屬和半導體材料微小區域的表面清潔度，缺陷，損傷和均勻程度；

• 研究和評價(jià)氣相緩蝕劑性能；

• 電化學(xué)傳感器；

微區掃描探針平臺系統主要技術(shù)參數：
1. 掃描范圍（X、Y、Z）：100mm×100mm×100mm
2. 掃描驅動(dòng)分辨率：8nm
3. 位移偏碼：線(xiàn)性，零滯后
4. 位移：閉環(huán)定位
5. 線(xiàn)性位移編碼分辨率：50nm
6. 重復性：250nm
7. 抗震光學(xué)平臺采用蜂巢狀的內部設計和硬質(zhì)鋼表面
8. 計算機通訊方式：USB接口; 儀器與儀器之間以以太網(wǎng)連接
9. 控制與分析軟件：隨機提供軟件預裝的高性能筆記本電腦。單一軟件平臺控制所有多種掃描探針技術(shù)；內嵌3D數據旋轉視圖功能，提高圖形的展現力；結果可以圖像或表格形式輸出，用于導入至其它分析或報告軟件。

10. 大樣品池：VersaScan L池（選配件）
11. SECM電化學(xué)微池：VersaScan mL池 （選配件）
12. 樣品觀(guān)察系統：VersaCAM，含相機、鏡頭、顯示屏（選配件）
13. 微區技術(shù)：SECM、SVET、SKP、LEIS、SDC、OSP（可選配）

軟件特性：

• 控制：計算機控制探針移動(dòng)、數字式/連續掃 描、掃描范圍、速度、數據采集精度等；

• 操作：簡(jiǎn)便易用、線(xiàn)性解碼實(shí)時(shí)位移顯示；

• 測量：先掃描后數據采集、面掃單軸可高達70,000數據點(diǎn);

• 結果：ASCII數據文件；標準配置2D和3D彩色圖像顯示和輸出

SVET與SKP系統的結合
SRET和SVET主要測量材料在液體電解質(zhì)環(huán)境下的局部電化學(xué)反應過(guò)程；SKP能夠測量材料在不同濕度大氣環(huán)境下，甚至其它氣體環(huán)境下的微區特性及其隨環(huán)境變化過(guò)程等?，F在公司將用于液體電解質(zhì)環(huán)境下的局部電化學(xué)反應過(guò)程的SVET和用于大氣環(huán)境下的SKP技術(shù)有機的結合在一起，極大地拓展了您的研究領(lǐng)域，有效地利用資源，降低了您的購買(mǎi)費用。

SVET-SKP系統工作特點(diǎn)：
1．非接觸測量，不干擾測定體系；
2. 對界面區狀態(tài)的變化敏感，如材料表面和表面膜元素分布，應力分布，界面區化學(xué)分布，電化學(xué)分布的變化；
3. 測定金屬、絕緣膜下金屬和半導體電位分布；
4. 10E-12A~10E-15A 數量級的極弱交流信號的測量，測定裝置必須具有很高的抗干擾能力；
5．在線(xiàn)（In-situ）圖示樣品微區電化學(xué)和樣品表面變化過(guò)程等；
6．一維、二維和三維圖示與分析（3D軟件為標配）；
7．特別適用液相和大氣環(huán)境下的材料表面和界面的微區顯微分析。